光刻工艺是刻写微电子芯片时必不可少的一种工艺，它采用光阻物质在紫外线曝光下的固化和去除，准确地将芯片图形刻写在硅片表面。下面将介绍光刻工艺按照哪种流程顺序进行操作。
在光刻的第一步中，需要先将胶布贴合在硅片表面。胶布是防止光刻过程中硅片表面受到伤害的保护层，可以是正交或斜交结构。贴胶时需要确保硅片表面干净无尘，避免胶水污染和产生异物；贴胶时还需要对准贴合位置，保证在后续光刻过程中图形质量。对准分为手动和半自动对准两种，半自动对准需要光刻机器进行辅助，提高对准的精度。
将贴胶后的硅片放入光刻机中，经遮光板阻挡后，以光刻机震动控制曝光过程，以紫外线光源进行曝光。曝光时间、曝光强度以及波长会影响到光刻的精度和效率，需要科学合理的设置。曝光完成后，需要根据芯片图形进行显影操作。一般是在显影机中进行显影，目前通常采用的是化学溶解和沉积显影两种方式。化学溶解要求显影剂可以溶解光刻胶，固定剂和胶液成分要配比合理；沉积显影要求显影剂可以将固定剂和胶液中的杂质沉淀下来，对图形影响小，质量可控制。显影完成，芯片图形就会出现在硅片上。
在显影完成后，需要进行残胶清洗。因为显影后硅片表面仍会有未固化的光刻胶残留，并且可能会有未曝光的光刻胶。清洗时间要控制好，很短清洗时间容易导致硅片表面仍有残留物；时间过长，硅片表面就会受到化学溶剂的腐蚀，影响芯片质量。清洗后，还需要进行后续加工。包括金属蒸镀和化学刻蚀等步骤，这些步骤会对芯片的尺寸和电气性能产生影响，需要进行精密控制。
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